半导体激光器叠层阵列

这款半导体激光器叠层阵列采用垂直堆叠半导体激光列阵巴条和主动冷却技术,可在准连续QCW模式下输出250W功率,可提供808nm,904nm激光波长。

型号：

FPAPO-VS-QCW

品牌：

价格：

￥0.00

类别：

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商品详情

这款半导体激光器叠层阵列采用垂直堆叠半导体激光列阵巴条和主动冷却技术,可在准连续QCW模式下输出250W功率,可提供808nm,904nm激光波长。
半导体激光器叠层阵列采用主动制冷技术,使用微通道激光二极管列阵,可采用去离子水循环冷却,非常适合工业激光应用。
半导体激光器叠层阵列特点
高功率
寿命长
光束质量*
CW连续激光模式
现款现货
半导体激光器叠层阵列应用
DPSSL半导体泵浦固体激光器泵浦
光纤激光器泵浦
焊接
材料热处理
光胶固化
半导体激光器叠层阵列规格参数

型号	VSxx-Y -150-808(Q)	VSxx-Y -200-808(Q)	VSxx-Y -250-808(Q)	VSxx-Y -200-940(Q)
中心波长	808 ±3nm	808 ±3nm	808 ±3nm	940 ±3nm
输出光功率	150W	200W	250W	200W
巴条数	2~40	2~40	2~40	2~40
巴条间距	1.8mm	1.8mm	1.8mm	1.8mm
Fill factor	83%	80%	75%	75%
发射体个数	75	40	62	62
发射体宽度	100μm	200μm	100μm	100μm
光谱带宽FWHM	≤4nm	≤4nm	≤3.5nm	≤6nm
光谱带宽FW90%E	≤6nm	≤6nm	≤7nm	≤8nm
快轴发散角	40度	40度	40度	40度
慢轴发散角	8度	8度	8度	8度
偏振模式	TM	TE	TE	TE
波长温度系数	~0.28nm/℃	~0.28nm/℃	~0.28nm/℃	~0.32nm/℃
工作电流Iop	≤160A	≤190A	≤250A	≤200A
阈值电流Ith	≤15A	≤26A	≤26A	≤18A
工作电压Vop	≤2V	≤2V	≤2V	≤2V
斜效率	≥1W/A	≥1.1W/A	≥1.15W/A	≥1.1W/A
功耗效率	≥45%	≥50%	≥50%	≥50%
脉宽	≤0.3ms	≤0.3ms	≤0.3ms	≤0.3ms
占空比	≤20%	≤20%	≤20%	≤20%
工作温度	15-35℃	15-35℃	15-35℃	15-35℃
存储温度	-40~60℃	-40~60℃	-40~60℃	-40~60℃
制冷介质	去离子水	去离子水	去离子水	去离子水
流量/巴条	0.25~0.3L/min	0.25~0.3L/min	0.25~0.3L/min	0.25~0.3L/min
***大输入压力	380kPa	380kPa	380kPa	380kPa
电导率要求	0.2~0.5Ω-cm	0.2~0.5Ω-cm	0.2~0.5Ω-cm	0.2~0.5Ω-cm