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  • 1064nm高峰值功率皮秒激光器采用全固态激光二极管泵浦工艺,实现了全固态皮秒激光输出,广泛用于皮秒激光科学研究和皮秒激光微加工等应用。
  • 小型扫描声学显微镜是专业为失效分析设计的台式声学扫描显微镜,可快速发现空隙,脱胶,裂缝,分层,内部缺陷等。
  • 下一代扫描声学显微镜是专业为失效分析设计的多功能SAM声学扫描显微镜,可快速发现空隙,脱胶,裂缝,分层,内部缺陷等。
  • 多功能翘曲度测定仪是一款多参数翘曲度测试仪器,可以测量PCB,IC等翘曲度,应变等参数,*可以检测随温度变化的翘曲度值。多功能翘曲度测定仪应用范围包括条带、晶圆或WLP上的单元或PCB板上的封装区域的高分辨率特性。
  • 干法刻蚀机 FPNIP-ES373

    品牌: 价格:0.00
    干法刻蚀机ES373是大规模集成电路设计的精细工艺干法刻蚀系统。该干法刻蚀机专门用于大规模集成电路(LSI)失效分析,具有在多层器件上进行高宽高比刻蚀的能力,具有*越的功能和易用性。
  • 这款等离子体芯片开封机利用大气微波等离子体针产生的氧气等离子体分解IC封装模塑实现IC封装脱封和开帽。
  • 激光开封机 FPNIP-PL221

    品牌: 价格:0.00
    这款激光开封机是为IC封装器件开封开帽设计的激光开帽机,采用光纤激光器,具有*长的使用寿命和横断面测量功能。
  • 晶圆晶锭寿命测定仪是为晶圆晶锭测量少子寿命、光电导率、电阻率和样品平整度及p/n检查任务设计的晶圆晶锭少子寿命测试仪器。采用非接触式检测和无损成像(μPCD /MDP(QSS))设计。
  • 微波探测光致电流瞬态谱仪采用微波技术探测材料的光生电流瞬态光谱值,非常适合温度依赖的少子寿命测量和半导体界面陷阱。
  • 单点少子寿命测量仪系统是经济型晶圆寿命测量仪器,对不同制备阶段的硅材料电学参数进行表征。单点少子寿命测量仪可测量小于156mm厚度的晶锭,没有自动化配置,手工操作。可增配电阻率测试功能,适合硅,晶圆片和晶锭寿命测量。 
  • 单晶多晶硅片寿命测试仪是专用为晶圆品质检验,测量少子寿命,测量光电导率和电阻率等研发的晶圆寿命测试仪器
  • 晶圆电阻率测试仪采用非接触方式测量晶圆电阻率,测量P/N类型和晶圆厚度,适合硅材料和其它材料的Sheet Resistance测量。
  • 单点硅片测厚仪是采用单点测厚技术为硅晶圆厚度测量设计的硅晶圆测厚仪器。适合手动测量单点的晶圆厚度。
  • 晶圆翘曲度厚度测试仪是专业为晶圆翘曲度测量和晶圆厚度测量设计的晶圆厚度翘曲度测量仪器,可测量晶圆翘曲度,晶圆Bow/warp,晶圆厚度,晶圆平整度,晶圆几何形状尺寸等物理量。
  • 高分辨率晶圆厚度测试仪能够高精度测量硅晶圆厚度和硅晶圆厚度变化,分辨率高达10nm,可满足不同的晶圆厚度范围。
  • Suns-Voc后扩散测试仪是Suns-Voc后扩散过程控制的理想仪器,适合用于浆料烧结*化和过程控制。
  • 太阳能电池I-V测试仪能够高精度高效率地测量太阳能I-V曲线和Suns-Voc数据,可高精度测量传统太阳能电池和背接触太阳能电池。
  • 这款温度型少子寿命测试仪是为25℃~200℃范围内晶圆少数载流子复合寿命测量设计的温度决定型少子寿命测定仪器。温度型少子寿命测试仪采用半标准准稳态光电导寿命测量方法QSSPC技术和瞬态光电导衰退技术测量在10ns~10ms范围的少子寿命。
  • 这款晶圆少子寿命测量仪是专业为晶圆少数载流子复合寿命测量设计的少子寿命测试仪器。晶圆少子寿命测量仪采用半标准准稳态光电导寿命测量方法QSSPC技术和瞬态光电导衰退技术测量在10ns~10ms范围的少子寿命。
  • 硅锭寿命测量仪是精确的非接触式测量本体寿命的仪器,适合任意生长硅锭表面任意曲率半径硅锭测量寿命。也适合单晶硅硅锭和多晶硅硅锭寿命测量。
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