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  • 这款混合异质结构分子束外延系统具有双反应器,非常适合А3В5和А2В6异质结构生长应用,也可用于epi晶圆研发和试生产。
  • 三腔室分子束外延系统是带有三个MBE分子束外延生长腔室的异质结材料MBE生长设备,可用于在高达∅100mm的衬底上以及三个2英寸以上衬底上一次精确生长外延层,获得极好的厚度和均匀性能。三腔室分子束外延系统使用PA-МВЕ和NH3-MBE特殊型号的MBE生长设备,可生长InAlGaAsSb或InGaAlN外延异质结构。
  • 这款III族氮化物分子束外延系统专业为A3N材料生长设计的MBE设备,适合氨气高温下制备生长A3N半导体材料,提供非常广泛的可用生长参数(有效氮通量、衬底温度、生长过程中的真空度)。III族氮化物分子束外延系统设计在衬底上提供极高的温度(>1200℃)以及在长生长周期中加热阶段的可靠工作。利用氨作为活性氮源,可以生长出高质量、厚的AlN/AlGaN缓冲层。这项技术的结果是生长出位错密度极低的活性层,为分子束外延(MBE)创造了记录。
  • 这款多功能紧凑型MBE系统具有三个腔室,适合用于А3В5, 宽带А2В6  和А3N 化合物(订制版本)的生长,MBE系统设计吸收了这些材料系统中分子束外延的最新成果,非常适合用于半导体材料领域中基于А3В5 宽带А2В6和III氮化物的材料生长研发。
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