光刻准分子激光器

这款光刻准分子激光器是专业为半导体工艺和微电子激光处理设计的高性能准分子激光器,适合超净间使用,满足掩膜版检测,紫外光刻,半导体处理,激光测量等应用要求。光刻准分子激光器采用***新的全金属/陶瓷技术,从而获得***长的激光寿命,不需要频繁维护,全面满足微电子和半导体工业超净间应用要求。

型号：

FPGAM-ex10se

品牌：

价格：

￥0.00

类别：

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商品详情

这款光刻准分子激光器是专业为半导体工艺和微电子激光处理设计的高性能深紫外准分子激光器,适合超净间使用,满足掩膜版检测,紫外光刻,半导体处理,激光测量等应用要求。
光刻准分子激光器采用***新的全金属/陶瓷技术,从而获得***长的激光寿命,不需要频繁维护,全面满足微电子和半导体工业超净间应用要求。
光刻准分子激光器特点
激光寿命高达100亿次脉冲
激光稳定性高达1%
193nm单次ArF气体注入可产生20亿次激光脉宽
阳离子处理工艺适合超净间使用
满足SEMI S2标准
光刻准分子激光器 EX10SE规格参数（其它规格参数可提供）

工作物质	F2	ArF	KrF	XeCl	XeF
波长 nm	157	193	248	308	351
***大能量. mJ	3	20	35	15	15
能量范围 mJ	1-3	5-20	10-35	7-15	7-15
***大稳定能量200Hz	2.5	15	30	15	12
***大平均功率W @300/600Hz	0.6/1.2	4/7	6/12	3/6	3/6
稳定性标准偏移	< 1% at max. repetition rate
重复频率, Hz	300/600/1000
动态气体寿命	200E6	200E6	500E6	100E6	300E6
静态气体寿命@ 50% 能量	15 days	60 days	90 days	>1 Year	90 days
脉宽, ns	12-15
光束大小, mm	5X 3	8 X 3
光束发散角（全角）, mRad	1 X 2
制冷	空气
光学窗口服务间隔	500E6	300E6	1000E6	100E6	300E6