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亚纳秒被动调Q微芯片激光器
  • 亚纳秒被动调Q微芯片激光器PULSELAS®-P是Alphalas被动Q开关微片激光器-孚光精仪

亚纳秒被动调Q微芯片激光器

亚纳秒被动调Q微芯片激光器PULSELAS®-P系列是Alphalas公司被动Q开关微片激光器.纳秒被动调Q微芯片激光器提供了各种被动调Q激光器,脉冲持续时间低于1ns,峰值功率为1064nm,光束轮廓为TEM00。PULSELAS®-P激光器采用专有微芯片设计。单片激光腔永久对准,因此非常稳定。
型号:
FPALP-PULSELAS-P
品牌:
价格:
¥0.00
类别:
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  • 商品详情
亚纳秒被动调Q微芯片激光器PULSELAS®-P系列是Alphalas公司被动Q开关微片激光器.纳秒被动调Q微芯片激光器提供了各种被动调Q激光器,脉冲持续时间低于1ns,峰值功率为1064nm,光束轮廓为TEM00。PULSELAS®-P激光器采用专有微芯片设计。单片激光腔永久对准,因此非常稳定。
亚纳秒被动调Q微芯片激光器高功率版本可提供超过1.5 mJ的脉冲,脉冲持续时间为1纳秒,因此可直接从用于微芯片激光器的振荡器(无放大器)获得大于1.5 MW的最高峰值功率。各种型号的重复频率高达100kHz,平均功率范围为100MW至1W。
亚纳秒被动调Q微芯片激光器内置频率发生器和外部TTL触发是大多数型号的标准功能。还可选择转换为绿色(532nm)和紫外线(355 nm、266 nm)。
亚纳秒被动调Q微芯片激光器极其可靠和稳健的微芯片设计非常适合先进的OEM工业应用。紧凑的设计最适合几乎任何系统集成。光纤抽运选项提供了更紧凑、更灵活的性能。
亚纳秒被动调Q微芯片激光器具有极其广泛的应用范围,从光子晶体光纤中产生超连续光谱到内燃机点火和微纳加工。
亚纳秒被动调Q微芯片激光器特点
被动调Q技术
结构非常紧凑
专有微芯片设计
1064nm的亚纳秒脉冲
市场上可直接从振荡器获得的最高峰值功率(>1.5 MW)和脉冲能量(>1.5 mJ)
重复频率高达100KHZ
平均功率高达1 W
外部触发,抖动低
频率转换为532nm,355和266纳米(可选)
其他波长(如946 nm、1342 nm)可根据要求使用纳秒脉冲
亚纳秒被动调Q微芯片激光器应用
材料加工
激光微纳微细加工
极硬材料(如钻石)的标记和切割
非线性光学
超连续谱产生
时间分辨荧光测量
DNA分析
激光雷达与激光测距
污染监测
激光诱导击穿光谱(LIBS)
炸药、内燃机和气体混合物的点火
亚纳秒被动调Q微芯片激光器规格参数
型号 Pulselas-P-
1064-100
Pulselas-P-
1064-200
Pulselas-P-
1064-300FC
Pulselas-P-
​​​​​​​1064-100-HP
Pulselas-P-
​​​​​​​1064-400-HP
Pulselas-P-
​​​​​​​1064-100-HE
Pulselas-P-
​​​​​​​1064-150-HE
波长 1064nm  1064nm  1064nm  1064nm  1064nm  1064nm  1064nm 
能量 6-10μJ @5KHZ 6-10μJ @5KHZ 15-20μJ @5KHZ 120μJ @1KHZ 400μJ @100HZ 1000μJ @100HZ 1500μJ @100HZ
平均功率 100mW@10KHZ 200mW@20KHZ 300mW@20KHZ 150mW@1KHZ 40mW@100HZ 100mW@100HZ 150mW@100HZ
脉宽 800ps 800ps 800ps 900ps 1000ps 900ps 1100ps
重复频率 10KHZ 20KHZ 15KHZ 最大2KHZ 最大0.15KHZ 0-0.1KHZ 0-0.1KHZ
光束质量 TEM00 TEM00 TEM00 TEM00 TEM00 TEM00 TEM00
偏振比 >100:1 >100:1 >100:1 >100:1 >100:1 >100:1 >100:1
光斑直径 0.3mm  0.3mm 0.3mm 0.3mm 0.3mm 0.3mm 0.3mm
发散角(全角) 6mrad 6mrad 6mrad 6mrad 6mrad 6mrad 6mrad
功率稳定性(1h) <2%, RMS 2%, RMS 2%, RMS 2%, RMS 2%, RMS 2%, RMS 2%, RMS
工作温度 18~30℃ 18~30℃ 18~30℃ 18~30℃ 18~30℃ 18~30℃ 18~30℃
亚纳秒被动调Q微芯片激光器规格参数

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