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科研型原子层沉积系统
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科研型原子层沉积系统

科研型原子层沉积系统ALD系芬兰picosun公司R-200 standard原子层沉积技术,具有专利的热壁设计和单独的入口,可实现无颗粒工艺,适用于晶圆,3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。
型号:
FPPIC-R-200-standard
品牌:
进口
价格:
¥0.00
类别:
客服热线 021-2279 9028 邮箱: info@felles.cn  孚光精仪-领先的进口光学精密仪器服务商,随时为您提供服务。

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科研型原子层沉积系统ALD系芬兰picosun公司R-200 standard原子层沉积技术,具有专利的热壁设计和单独的入口,可实现无颗粒工艺,适用于晶圆,3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。
科研型原子层沉积系统具有专有的Picoflow™技术,即使在挑战性的通孔,超高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 R-200 standard原子层沉积配备了功能强大且易于更换的液态,气态和固态化学物质前体源。与手套箱,粉末室和各种原位分析系统集成,无论您现在的研究领域是什么,或以后可能成为什么样的研究领域,都可以进行高效,灵活的研究,并获得良好的结果。
科研型原子层沉积系统ALD适用于数十种应用的研发,例如IC组件,MEMS器件,显示器,LED,激光和3D对象,例如透镜,光学器件,珠宝,硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场领dao者。它已成为创新驱动的公司和研究机构的shou选工具。
科研型原子层沉积系统ALD技术指标
 
衬底尺寸和类型 50 – 200 mm /单片
zui大可沉积直径150 mm基片,竖直放置,10-25片/批次(根据工艺)
156 mm x 156 mm 太阳能硅片
3D 复杂表面衬底(使用Showerhead喷洒淋浴模式效果更佳)
粉末与颗粒(配备扩散增强器)
多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品
工艺温度 50 – 500 °C, 可选更高温度(真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60 °C)
基片传送选件 气动升降(手动装载)
预真空室安装磁力操作机械手(Load lock )
前驱体 液态、固态、气态、臭氧源
4根du立源管线,zui多加载6个前驱体源
对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar),用氮气等载气dao入前驱体瓶内引出
重量 350kg
尺寸( W x H x D)) 取决于选件
zui小146 cm x 146 cm x 84 cm
zui大189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 PICOFLOW™扩散增强器,集成椭偏仪,QCM, RGA,N2发生器,尾气处理器,定制设计,手套箱集
成(用于惰性气体下装载)。
验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3 工艺
 
 
应用领域
客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm(6”和8”)晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。
 
材料 非均匀性(1σ)
AI2O3 (batch) 0.13%
SiO2 (batch) 0.77%
TiO2 0.28%
HfO2 0.47%
ZnO 0.94%
Ta2O5 1.00%
TiN 1.10%
CeO2 1.52%
Pt 3.41%

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