激光等离子体EUV光源

这款激光等离子体EUV光源是采用激光诱导等离子体LPP技术制造的LPP-EUV光刻光源,具有超高亮度和超低碎屑debris独特*势,非常适合取代Cymer公司LPP-EUV极紫外光源用于光刻。

型号：

FPIST-LPP-EUV

品牌：

价格：

￥0.00

类别：

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商品详情

这款激光等离子体EUV光源是采用激光诱导等离子体LPP技术制造的LPP-EUV光刻光源,具有超高亮度和超低碎屑debris独特*势,非常适合取代Cymer公司LPP-EUV极紫外光源用于光刻。
这款激光等离子体EUV光源采用快速旋转液体金属靶材，这种创新型的LPP靶材配备碎屑减缓技术（debris mitigation techniques）从而产生了清洁的光子EUV光源。
激光等离子体EUV光源采用快速旋转靶材技术，具有如下特点：
-将液滴碎片重定向到远离输入（激光）和输出（EUV）窗口的位置
-高重复率激光系统（高达1MHZ）的无干扰靶面
-目标连续时所需的***小同步
-*良的固有源空间稳定性
高转速使得液滴角速度分布发生剧烈变化，初始速度与目标线速度相当
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激光等离子体EUV光源型号S规格参数

型号	EUV收集角 sr	激光平均功率, W	激光脉宽, ns	激光重复频率, kHz	等离子体尺寸, µm	亮度*, W/mm²sr	EUV 功率** mW	收集器寿命***, %
s100	0.05	100	1.5	25	60	110	5	>1年
s200	0.05	200	1.5	50	60	220	10	>0.5年
s400	0.05	400	1.5	100	60	450	20	>0.5年

激光等离子体EUV光源型号M规格参数

型号	EUV收集角 sr	激光平均功率, W	激光脉宽, ns	激光重复频率, kHz	等离子体尺寸, µm	亮度* W/mm²sr	EUV功率** mW	收集器寿命***, %
M100	0.15	100	1.5	25	60	110	15	>1year
M200	0.15	200	1.5	50	60	220	30	>0.5year
M400	0.15	400	1.5	100	60	450	60	>0.5year

说明：所有参数均适用于带内（13.5 nm±1%）辐射。带内辐射的转换效率为2%@2π。对于全波段（13.5nm±2%）的转换效率为4%@2π，允许双倍亮度和收集的EUV功率加倍。
通过使用可*换的膜，可以防止任何颗粒到达包含十字线、膜和任何敏感元件的腔室
*-在30-60um不同光源尺寸的等离子体中（亮度越高，光斑尺寸越小）
**-收集后镜像。
***-反射率损失10%的时间