| 烘烤后生长室的***终真空度,Torr | <5×10-11 |
| ***大基板直径,mm | 100或3×2″block |
| 100mm晶圆的厚度和复合不均匀度,% | ±1 |
| “源到基片”距离,mm | 135÷210 |
| 渗出细胞百叶窗设计 | 基于磁耦合旋转运动的无冲击驱动旋转机构 |
| 百叶窗叶片材料 | 钽、钼或PBN(可选) |
| 生长机械手加热元件的设计 | PBN/PG/PBN |
| 生长操纵器的***高工艺温度,不低于,℃ | 900 (NH3-MBE为1200) |
| 准备室中基板脱气温度,不低于,℃ | 650 (III氮化物为1100) |
| 生长室烘烤温度,不低于,℃ | 200 |
| 离子泵容量,不小于,l/s: –生长室(III-N的TMP) –准备室 –负载锁定 |
800 (2000) 500 300 |
科研型原子层沉积系统
聚焦离子束蚀刻系统
超高真空极低温强磁场扫描隧道显微镜
低温高真空针尖增强拉曼光谱系统
超高真空超低温四探针SPM
高真空极低温扫描探针显微镜
超低温磁场扫描隧道显微镜
UHV扫描探针显微镜
晶圆热退火炉
晶圆真空氧化退火热处理系统
等离子体增强化学气相沉积系统
电感耦合等离子体化学气相沉积系统
电子束蒸发系统
磁控溅射物理气相沉积PVD系统
高压溅射PVD系统
混合异质结构分子束外延系统
三腔室分子束外延系统
III族氮化物分子束外延系统
多功能紧凑型MBE
