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半导体经晶圆热处理系统
  • 半导体经晶圆热处理系统_晶圆高温处理系统可对晶圆真空退火_氧气退火处理-孚光精仪

半导体经晶圆热处理系统

这款半导体经晶圆热处理系统是为半导体晶圆在可控气体、真空、氧化或还原气氛中的晶圆高温处理系统,可对晶圆真空退火,氧气退火处理。 铝室的特殊设计允许在极高温度(高达1300°С)下进行热退火,并结合长时间退火(高达60分钟)。
型号:
FPSEM-STE-RTP150
品牌:
价格:
¥0.00
类别:
在线客服邮箱 info@felles.cn 服务热线021-2279 9028 您也可网站留言或在线客服留言垂询,孚光精仪-**的进口激光精密科学仪器服务商欢迎您!
  • 商品详情
这款半导体经晶圆热处理系统是为半导体晶圆在可控气体、真空、氧化或还原气氛中的晶圆高温处理系统,可对晶圆真空退火,氧气退火处理。
铝室的特殊设计允许在极高温度(高达1300°С)下进行热退火,并结合长时间退火(高达60分钟)。
半导体经晶圆热处理系统既可用于研发活动,也可用于中试生产。加工后的晶圆***大直径为150mm。
半导体经晶圆热处理系统的*点之一是加热器和反应器加热晶片分离。加热器由位于反应器外部的卤素灯组成,通过工艺室中的石英窗口加热石墨工作台。这种加热器允许进行***高温度高达1300°С、加热速率高达150°С/秒的工艺。水冷铝室允许进行长期退火。反应器可在工艺气体排气后进行初步泵送。
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半导体经晶圆热处理系统特色
•带水冷的铝制工艺室
•带空气冷却的卤素灯加热装置
•通过膜或可选涡旋泵对工艺室进行初步泵送
•泵送和气体吹扫的自动化,允许通过«一键按下»执行过程
•内置PID控制器的多级过程
•光学高温计,用于额外的温度控制(可选),光学进入150 mm晶圆的中心和边缘
•工作台温度由两个热电偶控制
•易于操作和维护
半导体经晶圆热处理系统可订购型号
•真空热退火
•在受控气体环境中进行热退火,并用惰性气体持续吹扫试验箱
•在自动保压的受控气体气氛中进行热退火
半导体经晶圆热处理系统规格参数
工艺过程反应器中的极限压力:   <10Torr (可选<5×10-7
泵浦速率: 5    m^3/h 
反应器壁水冷: 是的
***大晶圆直径:150mm 
***大加热速率:200℃/s  (不带电极夹具)
***大加热速率:50℃/s  (带电极夹具)
***大加热温度:1300℃
热均匀性@100mm直径:  +/-1(<500摄氏度), +/-2(<1300℃)
真空退火:标配
氧气退火: 标配
自动化退货:标配

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