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高分辨率晶圆厚度和厚度变化测量仪
  • 高分辨率晶圆厚度和厚度变化测量仪MX10x系列测量硅片厚度和TTV厚度变化-辅光仪器

高分辨率晶圆厚度和厚度变化测量仪

高分辨率晶圆厚度和厚度变化测量仪MX10x系列是E+H metrology测量硅片厚度和TTV厚度变化的仪器。它的分辨率高达10nm,可以在几秒钟内适应不同的厚度范围。
型号:
FPEH-MX10x
品牌:
价格:
¥0.00
类别:
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  • 商品详情
高分辨率晶圆厚度和厚度变化测量仪MX10x系列是E+H metrology测量硅片厚度和TTV厚度变化的仪器。它的分辨率高达10nm,可以在几秒钟内适应不同的厚度范围。在开始扫描晶圆之前,通过标准厚度量块自动重新校准。一对电容传感器对每个晶片上的四个径向轮廓(45度)进行采样。
高分辨率晶圆厚度和厚度变化测量仪应用
晶圆研发,晶圆工艺鉴定,晶圆过程控制,晶圆厚度测量,晶圆TTV总厚度变化、
高分辨率晶圆厚度和厚度变化测量仪MX 10x规格
订购代码 晶圆直径 [mm] 厚度变化TTV范围 厚度分辨率 空间分辨率 重复精度 TTV精度
MX 102-6 100, 125, 150 
(4''-6'')
350,450,550,
650µm+/-50µm
10nm  1mm  +/-20nm 
(2sigma)
+/-50nm
MX 102-8 150, 200
(6''-8'')
500,600,700,
800µm,+/-50µm
10nm 1mm  +/-20nm 
(2sigma)
+/-50nm
MX 1012 200, 300          
MX 1018 300, 450          

MX 102-6是一种测量中心厚度和晶圆厚度的晶圆测厚仪器,可测量100mm, 125mm和150mm直径硅片晶圆的厚度变化,厚度分辨率高达10纳米,可以在几秒钟内适应不同的厚度范围,可以处理300µm到700µm的总厚度范围。
MX 102-8是用于150 mm和200 mm晶圆的晶圆测厚仪器。在开始扫描晶圆之前,这款晶圆测厚仪通过以下方式自动重新校准,使用标准测厚块,一对电容传感器
每个晶圆上有四个径向轮廓。其中一个剖面由200个局部厚度组成值,并相对于相邻轮廓偏移45度。
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在测量过程中,晶圆放在四根柱子的顶部,这四根柱子是安装在移动台和可旋转圆桌上。晶片可以被带进这个手动或通过机器人定位。它由一组带有锥形端。这些会自动调整到所选的晶圆直径。真空夹持晶片的卡盘垫由Delrin制成,通常经过研磨,为了提供精确的静止平面.计算机发出启动命令后,真空吸盘被激活。根据选定的厚度范围,重新测量已知厚度四个量块之一的厚度产生零距离,即总距离在两个相互面对的电容传感器之间。然后是微处理器受控步进电机将晶片径向插入两个晶片之间的气隙
传感器。在第一个测量位置,14位DAC测量晶片厚度,并补偿待测量的电子厚度信号这样,快速ADC只需对与之相关的信号变化进行采样参考点。这是连续进行的,不会停止晶圆的运动。之后传感器对返回原点位置后,最终测量量块再一次这个值和第一个值之间的变化可以用来判断总体情况.

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