半导体经晶圆热处理系统

这款半导体经晶圆热处理系统是为半导体晶圆在可控气体、真空、氧化或还原气氛中的晶圆高温处理系统，可对晶圆真空退火，氧气退火处理。
铝室的特殊设计允许在极高温度（高达1300°С）下进行热退火，并结合长时间退火（高达60分钟）。
该半导体经晶圆热处理系统既可用于研发活动，也可用于中试生产。加工后的晶圆***大直径为150mm。
半导体经晶圆热处理系统的*点之一是加热器和反应器加热晶片分离。加热器由位于反应器外部的卤素灯组成，通过工艺室中的石英窗口加热石墨工作台。这种加热器允许进行***高温度高达1300°С、加热速率高达150°С/秒的工艺。水冷铝室允许进行长期退火。反应器可在工艺气体排气后进行初步泵送。

半导体经晶圆热处理系统特色
•带水冷的铝制工艺室
•带空气冷却的卤素灯加热装置
•通过膜或可选涡旋泵对工艺室进行初步泵送
•泵送和气体吹扫的自动化，允许通过«一键按下»执行过程
•内置PID控制器的多级过程
•光学高温计，用于额外的温度控制（可选），光学进入150 mm晶圆的中心和边缘
•工作台温度由两个热电偶控制
•易于操作和维护
半导体经晶圆热处理系统可订购型号
•真空热退火
•在受控气体环境中进行热退火，并用惰性气体持续吹扫试验箱
•在自动保压的受控气体气氛中进行热退火
半导体经晶圆热处理系统规格参数
工艺过程反应器中的极限压力:   <10Torr (可选<5×10^-7）
泵浦速率： 5    m^3/h 
反应器壁水冷： 是的
***大晶圆直径：150mm 
***大加热速率：200℃/s  (不带电极夹具）
***大加热速率：50℃/s  (带电极夹具）
***大加热温度：1300℃
热均匀性@100mm直径：  +/-1(<500摄氏度）， +/-2(<1300℃）
真空退火：标配
氧气退火：　标配
自动化退货：标配