砷化铟镓光电二极管

砷化铟镓光电二极管采用直径为3mm的InGaAs光电二极管（800-1700nm），以光伏模式工作。该探测器产生的光电流****用487皮安计或477前置放大器和496锁定放大器测量。

型号：

FPBEN-DH-IGA

品牌：

价格：

￥0.00

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商品详情

砷化铟镓光电二极管采用直径为3mm的InGaAs光电二极管（800-1700nm），以光伏模式工作。该探测器产生的光电流****用487皮安计或477前置放大器和496锁定放大器测量。
砷化铟镓光电二极管可提供安装法兰与单色仪匹配安装,还提供快速*换型。其他选择包括热电冷却的***终稳定性（但减少光谱范围），和透镜解决方案，***大限度地从单色仪耦合。
光谱范围：800-1700nm
超低噪音和*异的线性
超高响应能力
外壳包装坚固的InGaAs二极管

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砷化铟镓光电二极管规格参数

材料类型	InGaAs
有效面积	3mm直径
光谱范围	800-1700nm
工作模式	光伏
暗电流 (typ.)	<1pA
Shunt Resistance	5MΩ
峰值波长	1570nm
峰值响应	1.07A/W
NEP	7 x 10^-14 W.Hz^-1/2
***大光电流	2mA
工作温度范围	-20°C ~ +60°C